SEMELAB - BUZ906 - 场效应管 MOSFET P TO-3
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描述信息:
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压, Vgs 最高:-1.5V
- 功耗:125W
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:125W
- 封装类型:TO-3
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:-200V
- 电流, Id 连续:8A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.0115
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压, Vgs 最高:-1.5V
- 功耗:125W
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:125W
- 封装类型:TO-3
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:-200V
- 电流, Id 连续:8A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V