RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM
制造商：RENESAS
库存编号：
制造商编号：2SJ218-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国164
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-45A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:60W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3PFM
- 功率, Pd:60W
- 封装类型:TO-3PFM
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-60V
- 电流, Id 连续:45A
- 电流, Idm 脉冲:180A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
- 隔离电压:4kV
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-45A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:60W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3PFM
- 功率, Pd:60W
- 封装类型:TO-3PFM
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-60V
- 电流, Id 连续:45A
- 电流, Idm 脉冲:180A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
- 隔离电压:4kV
