RENESAS - 2SK1317-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P
制造商：RENESAS
库存编号：
制造商编号：2SK1317-E
库存状态：上海10, 新加坡9, 英国94
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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制造商编号：2SK1317-E
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描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:2.5A
- 电压, Vds 最大:1500V
- 开态电阻, Rds(on):12ohm
- 电压 @ Rds测量:15V
- 电??, Vgs 最高:4V
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:TO-3P
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:1500V
- 电流, Id 连续:2.5A
- 电流, Idm 脉冲:7A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:2.5A
- 电压, Vds 最大:1500V
- 开态电阻, Rds(on):12ohm
- 电压 @ Rds测量:15V
- 电??, Vgs 最高:4V
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:TO-3P
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:1500V
- 电流, Id 连续:2.5A
- 电流, Idm 脉冲:7A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
