| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
MICROCHIP - 23K640-I/SN. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口
|
美国 0
上海 0
美国636
新加坡 0 |
1 |
1 |
  |
|
MICROCHIP - 23K640-I/P. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口
|
美国 0
上海 0
美国59
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
MICROCHIP - 23K256-I/P. - 芯片 SRAM 256K 32K X 8 2.7V 串口 |
芯片 SRAM 256K 32K X 8 2.7V 串口
|
美国 0
上海 0
美国111
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
MICROCHIP - 23A640-I/SN. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口
|
美国 0
上海 0
美国100
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
MICROCHIP - 23A640-I/P. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口
|
美国 0
上海 0
美国89
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23K640-I/SN - 芯片 SRAM 串口 64K 2.7V SOIC8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
频率:20MHz
|
上海45
新加坡480
英国248 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23K640-I/P - 芯片 SRAM 串口 64K 2.7V PDIP8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:20MHz
|
上海45
新加坡596
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23K256-I/SN - 芯片 SRAM 串口 256K 2.7V SOIC8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
频率:20MHz
|
上海25
新加坡465
英国2087 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23K256-I/P - 芯片 SRAM 串口 256K 2.7V PDIP8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:20MHz
|
上海16
新加坡153
英国557 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23A640-I/SN - 芯片 SRAM 串口 64K 1.7V SOIC8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:表面安装
频率:16MHz
|
上海45
新加坡629
英国13 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23A640-I/P - 芯片 SRAM 串口 64K 1.7V PDIP8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:16MHz
|
上海45
新加坡628
英国65 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23A256-I/SN - 芯片 SRAM 串口 256K 1.7V SOIC8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:表面安装
频率:16MHz
|
上海26
新加坡425
英国157 |
1 |
1 |
|
 |
MICROCHIP - 23A256-I/P - 芯片 SRAM 串口 256K 1.7V PDIP8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:16MHz
|
上海25
新加坡34
英国43 |
1 |
1 |
|
 |
CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY7C185-20PXC - SRAM 64K 8KX8 20NS DIP28 |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
访问时间:20ns
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器电压, Vccq:5V
存储器类型:SRAM
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡12
英国1142 |
1 |
1 |
|
 |
CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY6264-70SNXC - 芯片 SRAM 64K 5V SMD 6264 管装27只 |
存储器配置:8K x 8bit
访问时间:70ns
封装类型:SOIC
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:SOIC
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:6264
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:SRAM
封装类型:管装
温度范围:商用
电压, Vcc:5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:6264
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:6264
|
无库存 |
27 |
1 |
|
| 共 7 页 | 第 1 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
京ICP备 06008810号-15 京公网安备 11010802018497 号