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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
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- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
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- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
