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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- 2SK2625ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A TO220F
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- 2SK4073LS - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 90A TO220F
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- 2SK4043LS - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 20A TO220F
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220