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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6