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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
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- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
- CPH3442-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6.5A SOT346
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323