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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F