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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- 2SK2625ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A TO220F
- CPH3442-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6.5A SOT346
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3