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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- CPH6434-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A SOT346
- CPH3442-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6.5A SOT346
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8