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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8
- ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8