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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
- CPH6434-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A SOT346
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243