新全的IC产品
- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- CPH6434-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A SOT346
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8