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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- CPH6434-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A SOT346
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- 2SK2617ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5A TO220F
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96
- 2SK4063LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 16A TO220F
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96