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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
- SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- 2SK2617ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5A TO220F
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208