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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK