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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- CPH3442-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6.5A SOT346
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346