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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
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- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F