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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
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- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
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- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208