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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
- 2SK4043LS - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 20A TO220F
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6