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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6