 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDFS2P106A - 场效应管 MOSFET P 带肖特基二极管 SMD SO-8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-10A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.11ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:-1.6V
功耗:2mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
正向电压 Vf 最大:0.62V
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:3A
电流, If 平均:2mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
阈值电压, Vgs th 最高:-3V
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