 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ100N25P - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:250V
开态电阻, Rds(on):0.027ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:185nC
功率, Pd:600W
封装类型:TO-3P
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电容值, Ciss 典型值:6300pF
电流, Id 连续:100A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
| 上海 0 新加坡 0 英国27 | 1 | 特价出售 | | 删除 |