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TOSHIBA - 2SK3569 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:10A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.75ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:45W 封装类型:TO-220SIS 功率, Pd:45W 封装类型:TO-220SIS 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:10A 电流, Idm 脉冲:40A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡9 英国 0 1 特价出售 删除
HWD3221   原装现货HWD 现货 封装:SSOP16T 批号:09+ 特价出售 删除
max6774tamd2   原装 现货   特价出售 删除