 | SANYO - SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:15V
开态电阻, Rds(on):160mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:650mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:15V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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 | SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):1900mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.2A
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