 | TOSHIBA - SSM6L16FE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET NP沟道 SSOTFMLP |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):4ohm
电压 @ Rds测量:-4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
功耗:150mW
封装类型:ES6
封装类型:ES6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
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 | SANYO - 2SK4063LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 16A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):390mohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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