 | INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6691TR1PBF - 场效应管 MOSFET N型 DirectFET? MT封装 20V |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:26A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):1.2mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.5V
功耗:2.8mW
封装类型:MT
针脚数:5
SMD标号:2.8
器件标号:6691
封装类型:MT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:20V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:32A
电流, Idm 脉冲:260A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
阈值电压, Vgs th 最低:1.6V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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