 | VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500 |
模块配置:NP
晶体管极性:N沟道/P沟道互补
漏极电流, Id 最大值:4.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.036ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:2500
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:13nC
P沟道栅极电荷 Qg:15nC
功率, Pd:1.1W
带子宽度:12mm
最高电压, Vds P沟道:30V
漏极连续电???, Id P沟道:3.7A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds N沟道 1:30V
电压, Vds P沟道 1:30V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5.9A
电流, Idm 脉冲:30A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.036ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.053ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.053ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.09ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.053ohm
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