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STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC   晶体管极性:N Channel 开态电阻, Rds(on):250mohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:45V 电流, Id 连续:0.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 上海 0 新加坡82 英国486 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - XTR106P - 芯片 发送器 电流输出   放大器数目:5 输入偏移电流:25nA 输出电流/通道:20mA 输入偏移电压:100μV 共模抑制比 (CMRR):86dB 电源电压范围:7.5V to 36V 封装类型:DIP 针脚数:14 工作温度范围:-55°C to +125°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:PDIP 器件标号:106 电源电压 最大:36V 电源电压 最小:7.5V 表面安装器件:通孔安装 传感器 / 换能器类型:电流 封装类型:PDIP 精度:0.05% 上海 0 新加坡4 英国 0 1 特价出售 删除
j0c-0006tn   原装 现货   特价出售 删除