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TEXAS INSTRUMENTS - EKT-LM3S6965 - 以太网评估套件 LM3S6965 RED-TECH   以太网评估套件 LM3S6965 RED-TECH 美国 0 上海 0 美国4 新加坡 0 1 特价出售 删除
NTE ELECTRONICS - NTE2384 - 场效应管 MOSFET N沟道 800V   场效应管 MOSFET N沟道 800V 停产 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - DRV103UG4 - 芯片 PWM 低边驱动器 1.5A/3A   电源电压 最小:8V 电源电压 最大:32V 输出数:1 输出电压:40V 输出电流:1.5A 封装类型:SOIC SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 器件标号:103 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 工作温度范围:-40°C to +85°C 芯片标号:103 表面安装器件:表面安装 针脚数:8 驱动芯片类型:功率驱动器 放大器类型:低功耗 输出电流 汲入型 最小:2mA 输出电流 流出型 最小:3A 上海 0 新加坡 0 英国143 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - ISO122JUE4 - 芯片 隔离放大器   放大器数目:1 输入偏移电压:50mV 带宽:50kHz 隔离电压:1500V AC 增???, 非线性 最大:0.05% 摆率:2V/μs 电源电压范围:± 4.5V to ± 18V 电源电流:5.5mA 封装类型:SOIC 针脚数:28 工作温度范围:-25°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC -3dB带宽增益乘积:50kHz 变化斜率:2V/μs 器件标号:122 工作温度最低:-25°C 工作温度最高:85°C 放大器类型:Isolation 电源电压 最大:18V 电源电压 最小:4.5V 芯片标号:122 表面安装器件:表面安装 输入偏移电压 最大:50mV 额定电源电压, +:15V 无库存 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - ISO122UE4 - 芯片 隔离放大器   放大器数目:1 输入偏移电压:50mV 带宽:50kHz 隔离电压:1500V AC 增益, ??线性 最大:0.02% 摆率:2V/μs 电源电压范围:± 4.5V to ± 18V 电源电流:5.5mA 封装类型:SOIC 针脚数:28 工作温度范围:-25°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC -3dB带宽增益乘积:50kHz 变化斜率:2V/μs 器件标号:122 工作温度最低:-25°C 工作温度最高:85°C 放大器类型:Isolation 电源电压 最大:18V 电源电压 最小:4.5V 芯片标号:122 表面安装器件:表面安装 输入偏移电压 最大:50mV 额定电源电压, +:15V 无库存 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - LOG101AIDE4 - 芯片 对数放大器   放大器数目:2 动态范围, 十倍数:7.5 比例因子, V/十倍:1 响应时间:110μs 电源电流:3.5mA 输入偏移电压:1.5mV 电源电压范围:± 4.5V to ± 18V 封装类型:SOIC 针脚数:8 工作温度范围:-40°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 器件标号:101 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 带宽:45kHz 放大器类型:Logarithmic 电源电压 最大:18V 电源电压 最小:4.5V 芯片标号:101 表面安装器件:表面安装 输入偏移电压 最大:1.5mV 输入电流:3.5mA 额定电源电压, +:5V 上海 0 新加坡 0 英国43 1 特价出售 删除
SENSIRION - ASF1400 - 质量流量传感器   最高压力:120Pa 直流电源范围:7V to 18V 精度:± 1% 气流量范围:-400sccm to 400sccm 电源电压 直流 最大:18V 端口直径:5mm 量程:.015 to 400 sscm 响应时间:142ms 电源电压 最大:18V DC 电源电压 最小:7V DC 电源电流:27mA 上海 0 新加坡 0 英国4 1 特价出售 删除
4725-02-52   原装 现货   特价出售 删除