| VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLD110PBF - 场效应管 MOSFET N HEXDIP |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最???:100V
开态电阻, Rds(on):0.54ohm
功耗:1.3W
封装类型:HDIP
功率, Pd:1.3W
封装类型:HEXDIP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
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