 | VISHAY SILICONIX - SI2302CDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.9A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.057ohm
电压 @ Rds测量:8V
电压, Vgs 最高:850mV
功耗:710mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
上升时间:7ns
功率, Pd:0.71W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2.9A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.85V
阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
阈值电压, Vgs th 最高:0.85V
| 上海170 新加坡 0 英国 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |