 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:24A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:650W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:100nC
功率, Pd:650W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.19°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电容值, Ciss 典型值:5800pF
电流, Id 连续:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:250ns
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