 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6986AS - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体???极性:N
漏极电流, Id 最大值:7.9mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):29mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道(1):6.5A
漏极连续电流, Id N沟道(2):7.9A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.5A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm N沟道(2):30A
通态电阻, Rds on N沟道 1:0.020ohm
通态电阻, Rds on N沟道 2:0.029ohm
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