 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC3612 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 2.6A SSOT6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.6A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):125mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.3V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:2.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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