| NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:9.5V
截止频率 ft, 典型值:900MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:25
外宽:6.7mm
外部深度:7.5mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
晶体管数:1
晶体管类型:RF Bipolar
每卷数量:1000
表面安装器件:表面安装
集电极连续电流:500mA
SMD标号:BLT81
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
效率:60%
最大连续电流, Ic:0.5A
最小功率增益 Gp:6dB
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:300mA
电流, Ic 最大:0.5A
电源电压:7.5V
直流电流增益 hfe, 最小值:25
负载功率:1.2W
集电极电流, Ic 平均值:500mA
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 1,000 | 特价出售 | | 删除 |
| ANALOG DEVICES - AD7549JNZ - 芯片 12位数模转换器 |
分辨率, 比特:12bit
采样率:667kSPS
输入类型:Parallel
接口类型:Parallel, CMOS / TTL
电源电压范围:14.25V to 15.75V
电源电流:5mA
芯片封装类型:DIP
针脚数:20
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
位数:12
器件标号:7549
总功率, Ptot:75mW
数模转换器数:2
模/数, 数/模转换特点:CMOS,双缓存,锁存器,微处理器兼容,相乘,并行I/P
温度范围:商用
线性误差:1%
线性误差, ADC/DAC +:1LSB
线性误差, ADC/DAC -:1LSB
芯片标号:7549
表面安装器件:通孔安装
趋稳时间:1.5μs
转换时间:1.5μs
输出类型:Current
通道数:2
逻辑功能号:7549
采样率:0.667MSPS
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |