 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N60 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.35ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:151nC
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:20A
电流, Idm 脉冲:60A
结??, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.35ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国17 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
