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ON SEMICONDUCTOR - BUB323ZT4G - 双极性晶体管 达林顿型   晶体管极性:NPN 电压, Vceo:350V 截止频率 ft, 典型值:2MHz 功耗, Pd:150W 集电???直流电流:10A 直流电流增益 hFE:3.4 工作温度范围:-65°C to +175°C 封装类型:D2PAK 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 功耗:150W 封装类型:D2PAK 晶体管类型:High Voltage 最大连续电流, Ic:10A 直流电流增益 hfe, 最小值:0.5 表面安装器件:表面安装 饱和电压, Vce sat 最大:1.6V 上海 0 新加坡100 英国2 1 特价出售 删除
EDDING - 28-001 - 标记笔 黑色   颜色:Black 上海 0 新加坡 0 英国1 1 特价出售 删除
M2525100R0.25%P1   原装 现货   特价出售 删除