 | IXYS RF - IXZ211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:11A
最大功耗:590W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:540W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:790pF
电流, Idm 脉冲:60A
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