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TEXAS INSTRUMENTS - INA114BU - 芯片 仪器放大器
放大器数目:1 输入偏移电压:50μV 最大增益:10000 带宽:1MHz 放大器输出:单端 共模抑制比 (CMRR):120dB 摆率:0.06V/μs 电源电压范围:± 2.25V to ± 18V 电源电流:2.2mA 封装类型:SOIC 针脚数:16 工作温度范围:-40°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC -3dB带宽增益乘积:1MHz 变化斜率:0.6V/μs 可编程增益 最高:10000 器件标号:114 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 放大器类型:Instrumentation 电源电压 最大:18V 电源电压 最小:2.25V 芯片标号:114 表面安装器件:表面安装 输入偏移电压 最大:50μV 输入偏移量, 最大:0.25μV/°C 输出类型:Single Ended 额定电源电压, +:15V
上海 0 新加坡 0 英国14
1
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM1269NA/NOPB - 芯片 前置放大器 CMOS 110MHz 24-DIP
-3dB带宽增益乘积:110MHz 电源电压范围:4.75V to 5.25V ???出电流:28mA 放大器输出:单端 工作温度范围:0°C to +70°C 封装类型:DIP 针脚数:24 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:DIP 器件标号:1269 放大器类型:视频 电源电压 最大:5.25V 电源电压 最小:4.75V 表面安装器件:通孔安装
上海 0 新加坡8 英国57
1
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TDK - MPZ1608Y101B - 铁氧体磁珠 0603 100Ω
最大直流电阻:0.05ohm 额定直流电流:2A 系列:MPZ1608 封装类型:0603 电阻:0.04ohm 针脚数:2 阻抗:100ohm 内芯材料:Ferrite 封装类型:1608 核心材料:Ferrite 电感容差:± 25% 电感类型:Ferrite Bead 直流电流最大:2A
上海1000 新加坡 0 英国2980
1
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QGE7320MC S L8EF 869779
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