 | STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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 | TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS431ACS - 芯片 电压基准 1%容差 |
基准源电压:2.495V
容差, 基准电压:17mV
温度系数 ±:50ppm/°C
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:85°C
器件标号:431
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:431
二极管类型:稳压
外宽:5.000mm
外部深度:1.750mm
外部长度/高度:6.200mm
容差:1.0%
容差, 基准电压 & 老化:1%
温度系数, +:50ppm/°C
电压基准类型:并联、可调
结温, Tj 最低:-20°C
结温, Tj 最高:85°C
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