 | TOSHIBA - GT25Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:25A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
工作温度范???:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:100ns
下降时间典型值:160ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:50A
表面安装器件:通孔安装
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