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产品描述 |
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连接器类型:Standard Power Entry
公/母:Socket
额定电压:12V DC
额定电流:0.5A
连接器装配方向:Panel
接触端子:Through Hole
连接器类型:DC Power
额定电压, 交流:12V
| 上海 0 新加坡58 英国1375 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MULTICOMP - MJ-15SR - 电源插座 面板安装 |
连接器类型:Standard Power Entry
公/母:Socket
额定电压:12V DC
额定电流:1A
连接器装配方向:Panel
接触端子:Quick Connect
连接器类型:DC Power
| 上海 0 新加坡229 英国1646 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MULTICOMP - MJ-21 - 电源插座 面板安装 |
连接器类型:Standard Power Entry
公/母:Socket
额定电压:12V DC
额定电流:0.5A
连接器装配方向:Panel
接触端子:Through Hole
连接器类型:DC Power
| 上海 0 新加坡50 英国417 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.055ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2PAK
封装类型:D2PAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
| 上海 0 新加坡 0 英国982 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):1.3mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PolarPAK
封装类型:PolarPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:19A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国2929 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡 0 英国50 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
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晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡 0 英国50 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
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