| SANYO - MCH6604-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 50V 0.25A MCPH6 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:250mA
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):7.8ohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH6
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:0.25A
| 上海 0 新加坡 0 英国75 | 1 | 特价出售 | | 删除 |