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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | STMICROELECTRONICS - VNQ830-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC |
驱动芯片类型:高边
针脚数:28
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类??:SOIC
功耗, Pd:6.25W
器件标号:830
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:6A
| 上海 0 新加坡12 英国1181 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国49 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡82 英国486 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):120mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国270 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):60mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国2500 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - TUSB1105RGTR - 芯片 USB收发器 单端/差分模式 16QFN |
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:16
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:QFN
器件标号:1105
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:1.65V
表面安装器件:表面安装
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 | MPSA14-A | 原装 | 现货 | | 特价出售 | | 删除 |
