 | INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
集电极直流电流:78A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:400W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Half Bridge 1
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Half Bridge 1
封装类型, 替代:M34a
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:100ns
下降时间:100ns
功率, Pd:400W
功耗:400W
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
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