 | DIODES INC. - BSS84DW-7-F - 场效应管 MOSFET P沟道 SOT-363 |
晶体管极性:Dual P Channel
开态电阻, Rds(on):10ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:-5V
电压, Vds 典型值:-50V
电流, Id 连续:-130mA
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