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IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N60P - 场效应管 MOSFET N TO-3P   晶体管极性:N 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.35ohm 封装类型:TO-3P 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:62nC 功率, Pd:400W 封装类型:TO-3P 晶体管类型:Standard 热阻, 结至外壳 A:0.31°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电容值, Ciss 典型值:3600pF 电流, Id 连续:22A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 时间, trr 最大:500ns 无库存 1 特价出售 删除
TG48-105N1   原装现货 现货 封装: 批号:08/09+ 特价出售 删除
TH60 roll core   原装 现货   特价出售 删除