 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMC2610. - 场效应管 MOSFET N沟道 200V 9.5A POWER33-8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9.5A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):200mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:3.2V
功耗:42W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:Power 33
针脚数:8
封装类型:Power 33
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:2.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.2V
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